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仪器仪表工业论文_MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封
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摘要：文章目录 0 引 言 1 MEMS陀螺晶圆级封装结构与工艺流程 2 晶圆级真空封装关键工艺研究 2.1 Si-SiO2直接键合工艺 2.2 吸气剂工艺研究 2.3 Au-Si共晶键合真空封装工艺 3 晶圆级真空封装MEMS陀螺
文章目录
0 引 言
1 MEMS陀螺晶圆级封装结构与工艺流程
2 晶圆级真空封装关键工艺研究
2.1 Si-SiO2直接键合工艺
2.2 吸气剂工艺研究
2.3 Au-Si共晶键合真空封装工艺
3 晶圆级真空封装MEMS陀螺芯片的测试
4 结 论
文章摘要:微机电系统（MEMS）陀螺需要真空封装以确保其检测精度,晶圆级真空封装可以使MEMS微结构避免芯片切割过程中的粘连以及颗粒污染,提高芯片的成品率。为实现MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封装,提出了一种全硅MEMS陀螺芯片的晶圆级真空封装结构方案,并突破了Si-SiO2直接键合、吸气剂制备、金—硅（Au-Si）键合等关键技术,实现了MEMS芯片的晶圆级真空封装。Si-SiO2直接键合和Au-Si共晶键合的剪切强度分别达到了56.5 MPa和35.5 MPa,表明晶圆级封装中晶圆键合强度满足晶圆级真空封装的需要。晶圆级真空封装实现陀螺仪谐振最大Q值为103 879,对应的真空压力为2 Pa左右,陀螺仪芯片已达到MEMS陀螺工程化的需要。
文章关键词:
论文DOI:10.13873/J.1000-9787(2022)01-0015-04
论文分类号:TH824.3
文章来源：《真空与低温》 网址: http://www.zkydw.cn/qikandaodu/2022/0101/496.html